制造半导体器件的方法

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制造半导体器件的方法

时间:2019-11-26本站浏览次数:32

       

制造半导体器件的方法

通过使用很少数目的光掩膜,得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中,使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜,在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中,在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中,还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中,在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。

形成包含催化剂的层705的方法当然并不限于此,以及可以使用溅射、蒸发、等离子体处理等等。包含催化剂的层705可以在具有非结晶结构的半导体薄膜704之前被形成,换句话说,可被形成在第一绝缘薄膜上。

然后,缓冲器单元1201包括多个缓冲器1213a到1213c,以便分别相应于与非门电路1203a到1203c。应当指出,缓冲器1213a到1213c可以具有相同的结构。

有源矩阵基片可被使用来制造有源矩阵驱动的显示器件。在本实施例中的有源矩阵基片具有从光反射材料形成的它的象素电极,所以可以制成反射式液晶显示器件。液晶显示器件以及其中有机光发射器件被使用于象素部分的光发射器件可以从有源矩阵基片被制造。这样,得到了用于反射式显示器件的有源矩阵基片。

图28A显示便携式电话,它包括显示板2701,操作板2701,连接部分2703。显示板2701由液晶显示器件,一种典型为EL显示器件的显示器件2704,声音输出部分2705和天线2709组成。操作板2702由操作键2706,电源开关2702,和声音输入部分2708组成。显示部分2704可以应用如图8所示的有源矩阵驱动的液晶显示器件,或如图9所示的光发射器件。其它的集成电路可以通过应用本发明的TFT而被制成。通过使用本发明,可以完成便携式电话。

如上所述,本发明的每个与非门电路包括被串联连接的n个n沟道TFT和被并联连接的n个n沟道TFT。然而,在n个与非门电路1003a到1003c中,n沟道TFT和选择线的组合是随不同的电路而不同的。换句话说,一次只有一个输出线1011被选择,以及选择线1002接收信号,这些信号从开始到结尾逐个地选择输出线。

在本实施例模式中形成的、具有驱动电路部分205和象素部分206的基片,为了方便起见,被称为有源矩阵基片。有源矩阵基片可被使用来制造有源矩阵驱动的显示器件。在本实施例模式中的有源矩阵基片具有从光反射材料形成的它的象素电极,所以可以制成反射式液晶显示器件。液晶显示器件以及其中有机光发射器件被使用于象素部分的光发射器件可以从有源矩阵基片被制造。

图27A显示台式个人计算机等的监视器,它包括外框半导体薄膜,支撑盘3302,显示部分3303等等。显示部分3303可以应用如图8所示的有源矩阵驱动的液晶显示器件,或如图9所示的光发射器件。其它的集成电路可以通过应用本发明的TFT而被制成。通过使用本发明,可以完成台式个人计算机的监视器。

第二级锁存器1025具有多个基本单元1027b。每个基本单元1027b由n沟道TFT 1031a到1031c组成。n沟道TFT 1031a到1031c的栅极都被连接到锁存信号线1032,以使得当负的电压加到锁存信号线1032时n沟道TFT 1031a到1031c立即转到接通状态。

具体地,对抗措施包括使用金属镍材料(诸如氮化钽和氮化钛)或高熔点的材料(诸如钼(MO)和钨(W)),用于与栅极绝缘薄膜接触的第一导电薄膜,以及采用可以用作为用于阻挡Al和Cu扩散的势垒的材料。第二导电薄膜由Al或Cu制成,以及第三导电薄膜是使用Ti或W而被形成在其上。这是为了降低与导电薄膜上所形成的连线的接触电阻,以及为了保护Al或Cu,因为它们相对较容易被氧化。

第一n沟道TFT 401具有沟道形成区域349、与用作为栅极电极的第二形状电极325重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域(LDD区域)331、以及用作为源极区域或漏极区域的、一种导电类型的第三浓度杂质区域328。LDD在沟道长度方向上的长度是0.5到2.5μm,优选地1.5μm。这种LDD结构是用于防止主要由热载流子效应造成的TFT恶化。N沟道TFT和p沟道TFT可被使用来形成移位寄存器电路、缓冲器电路、电平移位器电路、锁存电路等等。第一n沟道TFT 401的结构特别适合于在驱动电压时是高的缓冲器电路,因为结构可防止由热载流子效应造成的恶化。




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